Electrónica de potencia del Model 3, y tecnología de Carburo de silicio (Silicon Carbide, SiC).En este hilo hablamos sobre la tecnología usada en la electrónica de potencia del coche, encargada de transformar la corriente y tensión continua de la batería, en alimentación trifásica para los motores eléctricos síncronos (o asíncronos) del Tesla model 3.
Hace unos días, me preguntaron si los Tesla model 3 utilizan electrónica de potencia basada en semiconductores de carburo de silicio o si, por el contrario, usa la tradicional electrónica basada en Mosfet o en IGBT. La pregunta venía al caso de los recientes artículos sobre este tema, en revistas de coches eléctricos:
https://www.caranddriver.com/es/movilidad/a38420003/bosch-produccion-semiconductores/Os adelanto que el Tesla model 3 utiliza semiconductores de carburo de silicio, del fabricante francés ST Microelectronics: Lo mejor y más moderno.Históricamente, la electrónica de potencia ha pasado por diferentes tipos de componentes:
1) Mosfet.
2) IGBT.3) Semiconductores de carburo de silicio (SiC).
1) Los Mosfet son unos buenos componentes de potencia, y se usan extensivamente en la industria.
2) Con el tiempo, salieron los IGBT, que soportan tensiones inversas muy altas, lo que hace difícil que se dañen, ofreciendo una gran durabilidad. Además, conmutan muy rápido, por lo que disminuía mucho la disipación de energía en forma de calor. Esto hace que sean muy eficientes desde el punto de vista energético.
Estos dos componentes, están fabricados con silicio dopado, "tradicional".
3) Recientemente, han aparecido los semiconductores fabricados con carburo de silicio (SiC), en vez de silicio dopado, "tradicional". Son típicos los IGBT construidos con tecnología de carburo de silicio.
Estos se caracterizan por disipar muy, muy poca energía en la conmutación, por lo que casi no se calientan. Gracias a ello, no requieren de complicados sistemas de refrigeración, y admiten empaquetarse en conjuntos más pequeños.
Otra ventaja clave es la elevada frecuencia de conmutación de los pulsos PWM que puede obtenerse en los inversores construido con esta tecnología SiC:
Para obtener una mejor forma de onda en la alimentación al motor (menos componentes armónicos de orden bajo), es necesario trabajar con frecuencias altas, por encima de 10kHz, y eso, para las potencias que se manejan, debe hacerse con semiconductores de carburo de silicio. (Ver gráfico superior donde, en el eje Y se indica la potencia que manejamos, y en el eje X está la frecuencia máxima que puede manejar cada tecnología, para esa potencia).
Todas estas ventajas permiten construir sistemas de electrónica de potencia para los motores, que son significativamente más eficientes, menos complejos al no requerir casi refrigeración, y de menor tamaño.

(Fuente de las ilustraciones: Fabricante alemán Infineon)